长江存储推出新一代3D闪存，供应链：堆叠层数达232层！

长江存储正式发布了基于晶栈3.0（XTACKING3.0）技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，供应链消息称，该新品堆叠层数已经处于国际第一梯队，达232层。据悉，X3-9070相较于长江存储上一代产品，拥有更高的存储密度，更快的I/O速度，并采用6-PLANE设计，性能提升的同时功耗更低，进一步释放系统级产品潜能。

性能：X3-9070实现高达2400MT/S的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范；相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升；

密度：得益于晶栈3.0的架构创新，X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的单颗芯片中实现1TB的存储容量；

提升系统级产品体验：得益于创新的 6-PLANE设计，X3-9070相比传统4-PLANE，性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比显著提升，可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本（TCO）。

另外，长江存储介绍，X3-9070凭借出色的性能、更佳的耐用性以及高质量可靠性，通过了美国电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的多项测试标准。

按照供应链信息，此次长江存储发布的新品堆叠层数已达到232层，达到业界领先水平。据CFM闪存市场统计，目前美光公开宣布已经开始量产232层NAND产品，同样采用6 PLANE TLC技术，I/O速度可达2.4GB/S。SK海力士已向客户发送了238层 512GB TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。

另外，西部数据也在之前的产品路线图预言，其下一代BICS 7的堆叠层数预计将达到212层。有消息称三星或将在2022年底或2023年上半年开始量产供应224层3D NAND。

成立于2016年的长江存储仅仅用了6年时间即追赶上了全球领先的技术水平，究其原因，晶栈（XTACKING）技术可谓功不可没！根据长江存储官网介绍，晶栈XTACKING 可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，再将两片晶圆键合在一起，此种技术手段能为闪存产品带来了更高的密度、更快的I/O速度和更短的产品上市周期。

晶栈XTACKING从1.0到3.0技术迭代助推长江存储系统解决方案从消费类覆盖至企业级应用

截至目前，晶栈XTACKING已经实现从1.0到3.0的迭代发展，长江存储在三维异构集成领域已积累了丰富的经验，并基于晶栈技术成功打造了多款长江存储系统解决方案产品，包括SATA III、PCIE GEN3、GEN4固态硬盘，以及用于移动通信和其他嵌入式应用的EMMC、UFS等嵌入式存储产品，获得了行业合作伙伴的广泛好评。

根据长江存储官网介绍，其产品在消费类市场通过“致态”品牌上市发布，在企业级市场的产品类型更是包括了SSD、EMMC和UFS，涵盖了企业级、商用级和移动嵌入式应用。

回首2020年，长江存储跳过96层制程节点，重磅发布两款基于128层堆叠的NAND产品，震惊业界，追赶上了当时业界主流厂商的水平。时隔两年多，长江存储再次实现制程跳跃，直接进击232层堆叠，在发布时程上已经领先了部分国际原厂，发展速度令人咂舌！

市场消息称，长江存储128层3D NAND的产能占比已经超过五成，如今，其第四代新品虽然仅是发布状态，并未宣布量产时程，但是相信随着其制程良率提升以及市场需求变化，其在具体客户应用上的表现也指日可待！